在我们的研究中,碲化铅锗是IV-VI窄间隙半导体的准二元合金PbTe和GeTe的化合物可用于制造中波长红外窄带通滤光片作为高折射率涂层材料,因为它的高折射率,较低的吸收率和可调谐性基本吸收边缘。 结果表明,半峰宽为160 nm,并且具有更好的抑制比可以得到一个简单的8层双腔滤光片,其中心波长为4μm,与对于使用Ge作为高折射率材料方便地制造的材料,其半宽度为390 nm。
评论星级较低,若资源使用遇到问题可联系上传者,3个工作日内问题未解决可申请退款~