基于热裂解材料的高效电子注入层，用于倒底发射型聚合物发光二极管

热裂解材料是指可以分解为较小分子片段的化合物，在聚合物发光二极管（PLED）中，热裂解材料被用作电子注入层（EIL），这一层是器件的关键组成部分，因为它负责从阴极向发光层注入电子。PLED通常分为两种类型：底部发射型（Bottom Emission）和顶部发射型（Top Emission）。底部发射型PLED能够将光从衬底一侧发出，而顶部发射型PLED则相反，从顶部电极一侧发出光。由于活性矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示技术的高分辨率、低功耗和薄型特点，它们在显示领域变得越来越受欢迎。AMOLED显示技术中的两种主要驱动技术是低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFTs）和非晶硅薄膜晶体管（a-Si TFTs）。LTPS TFTs因其高迁移率和高电流输出而更受青睐，但a-Si TFTs因成本较低也具有吸引力。 本文提出的基于热裂解材料的高效电子注入层，特别适用于倒底发射型聚合物发光二极管（IBPLED）。文中提到的PF-EP材料被发现是热裂解型的，这意味着其在氯苯中的溶解度可以通过不同温度下的热处理进行调整。通过TGA（热重分析）、FT-IR（傅里叶变换红外光谱）、和13C固体核磁共振（NMR）的分析结果，作者解释了这种溶解度转变是由于部分酸化、氢键交联网络和O、P、Li的配位作用引起的。利用这种热裂解的方法，研究人员成功地制备了完全溶液处理的IBPLED。当使用2.5% Li2CO3掺杂的PF-EP作为EIL时，该器件的最大电流效率接近传统器件的1.7倍，这归功于PF-EP和Li2CO3良好的电子注入和空穴阻挡能力。 研究的背景是，在AMOLED显示领域中，要利用a-Si TFTs作为显示器驱动，非常需要OLED的底部接触是阴极。目前，倒底发射有机发光二极管（IBOLEDs）是可以与a-Si TFT集成的一种通用结构。IBOLEDs具有一个带有IT0底阴极和一个蒸发金属顶阳极的结构，使得光能够从IT0玻璃底面逸出。这些器件的成功制备展示了基于热裂解材料的EIL在提高PLED器件性能方面的巨大潜力，并为开发低成本、高效率的显示技术提供了新的途径。 在热裂解材料研究的背后，是对有机电子领域材料合成的深入了解，以及对器件工艺优化的不断探索。研究团队通过精确控制材料的热裂解行为以及其对电荷注入和传输性能的影响，开拓了在有机电子器件中应用热裂解技术的新领域。此外，通过探索不同化学掺杂方法对器件性能的影响，研究人员成功提升了PLED器件的电流效率，这对未来PLED显示器的商业化生产具有重要的指导意义。 该研究论文中所涉及的PLED、AMOLED、热裂解材料、电子注入层和底部发射等概念，是有机光电领域中的核心知识点。这些概念不仅对学术研究人员有着重要的意义，对于从事相关产业的技术人员来说，也是必备的基础知识。随着PLED技术的不断发展和成熟，利用热裂解材料作为电子注入层的器件设计方法，有潜力在未来引领有机光电子材料和器件的研究和应用趋势。