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GeSi/ Si异质结布拉格反射光栅是硅基光电集成领域一种重要的集成光学器件,分析GeSi/ Si异质结的传光特性和布拉格条件,通过求解布拉格光栅方程,得出耦合系数和耦合效率。利用上述原理设计出入射角为66°,波导层的厚度为2μm,光栅长度为 4 252μm,槽深为0. 05μm,光栅周期为 0. 456μm,滤波带宽为 0. 214 nm,耦合效率为 84. 1%的 1. 3μm Ge 0 . 05 Si 0. 95 / Si异质结单模共面布拉格反射光栅,并用数值模拟了入射光波电场和反射光波电场的分布。
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文章编号:1002-2082(2008)05-0763-04
G e
0.05
S i
0.95
/
S i
异 质 结 单 模 共 面 布 拉 格 反 射
波 导 光 栅 的 设 计 与 分 析
徐勤昌, 刘淑平, 郭云香
(太原科技大学, 山西 太原 030024)
摘
摘摘
摘
要
要要
要:
::
:
GeSi
/
Si
异质结布拉格反射光栅是硅基光电集成领域一种重要的集成光学器件,分析
GeSi
/
Si
异质结的传光特性和布拉格条件,通过求解布拉格光栅方程,得出耦合系数和耦合效率。
利用上述原理设计出入射角为66°,波导层的厚度为 2
μm
,光栅长度为 4 252
μm
,槽深为0.05
μm
,
光栅周期为 0.456
μm
,滤波带宽为 0.214
nm
,耦合效率为 84.1%的 1.3
μm Ge
0.05
Si
0.95
/
Si
异质结
单模共面布拉格反射光栅,并用数值模拟了入射光波电场和反射光波电场的分布。
关
关关
关键
键键
键词
词词
词:
::
:
GeSi
/
Si
异质结; 布拉格反射波导光栅; 分/合波器; 电场分布
中图分类号:
T N
252 文献标志码:
A
A nalysis and design of G e
0.05
Si
0.95
/
Siheterojunction
single
-
m ode coplanar Bragg reflection w aveguide grating
XU Q in
-
chang
,
L IU Shu
-
ping
,
GU O Yun
-
x iang
(
T aiyuan U niversity of Science and T echnology
,
T aiyuan
030024,
China
)
A bstract
:
GeSi
/
Si heterojunction single
-
mode coplanar Bragg r eflection grating is an im port ant
opt oelectronic int egrated device in silicon based optoelectronic integ rated circuits
(
OEIC
).
Opt ical t ransm ission properties of GeSi
/
Si heterojunct ion and Bragg condit ions are analyzed
.
T he coupling coefficient and the coupling efficiency w ere derived by solving the Bragg grat ing
equation
.
A ccording t o the above principle
,
the
1.3
μm Ge
0.05
Si
0.95
/
Si heterojunction sing le
-
mode coplanar Bragg reflection g rating w as designed
,
w hose incident angle w as
66°,
w aveguide
thickness w as
2
μm
,
coupling w idth w as
4 252
μm
,
groove depth w as
0.05
μm
,
grat ing period
w as
0.456
μm
,
filtering bandw idth w as
0.214
nm and coupling efficiency w as
84.1%.
T he
dist ribut ion of t he elect ric fields of the incident and the reflected guide m o des w as num erically
sim ulated
.
K ey w ords
:
GeSi
/
Si heterojunction
;
Bragg reflection w aveguide grat ing
;
multiplex er
/
dem ulti
-
plex er
;
electric field distribution
引言
长期以来
Si
在光电领域的应用落后于Ⅲ-Ⅴ族
材料,由于分子束外延和化学 汽相淀积技术的 发
展,使 得 应变 可 控 的
GeSi
/
Si
异 质 结 器 件 得 以 实
现。 应变的
GeSi
/
Si
异质结具有许多优异的性能,
它给人们带来了全新的以“能带工程”代替传统的
“杂质工程”进行器件设计的机遇。 此外,
GeSi
合金
的间接带隙对应波长在 1.3
μm
~1.55
μm
,
能与红
收稿日期:2007-10-14; 修回日期:2007-11-05
基金项目:山西省自然科学基金资助项目(2007011047)
作者简介:徐勤昌(1975-),男,山东新泰人,硕士研究生,主要从事光电材料与光电器件研究。
E
-
mail
:
xqc
5678@163.
com
2008 年 9 月
Journal of Applied Optics
Sep
.2008
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weixin_38746442
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