igbt管的好坏可用指针万用表的rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量pn结正向压降进行判断。检测前先将igbt管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测g、e两极及g、c两极的电阻，对于正常的igbt管（正常g、c两极与g、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的igbt管正常时，e、c极间均有4kw正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kwl左右，则所测管为含阻尼二极管的igbt管，若所测值在50kw左右，则所测igbt管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，igbt管的c、
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）管是电力电子领域中广泛应用的一种功率半导体器件，它结合了MOSFET的高速控制能力和双极型晶体管的高电流密度能力。在基础电子中，掌握如何正确测量和判断IGBT管的好坏至关重要，因为它直接影响到电路的性能和稳定性。
在检测IGBT管时，可以使用指针万用表的RXLK挡或者数字万用表的"二极管"挡。确保在开始测试之前，将IGBT的栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三脚短路放电，以消除任何可能的电荷积累，防止对测量结果造成误导。这是因为IGBT内部可能存在寄生电容，放电能确保测量的准确性。
接着，使用指针万用表的两支表笔分别正反测量G、E两极和G、C两极之间的电阻。对于正常的IGBT管，G、C两极之间的正反向电阻都应该是无穷大。对于内置阻尼二极管的IGBT，当E、C极之间应该有大约4kΩ的正向电阻。而如果使用数字万用表，正常情况下，C、E极之间的正向压降大约为0.5V，这通常对应于内置二极管的导通状态。
进一步的检查，可以将指针万用表的红笔接C极，黑笔接E极。如果测量值接近3.5kΩ，那么这个IGBT管内部包含了阻尼二极管。相反，如果测量值在50kΩ左右，这表示该IGBT管内部没有内置阻尼二极管。
在检测过程中，如果发现IGBT管的三个引脚之间的电阻都很小，这通常意味着IGBT已经发生了击穿，即其内部的PN结被破坏。另一方面，如果所有引脚间的电阻均为无穷大，这可能表明IGBT已经开路，即内部线路断路。在实际维修中，IGBT的常见故障往往是击穿。
需要注意的是，当IGBT作为保护元件使用时，为了确保保护功能的正常工作，未使用的保护端（例如脚1）应保持在高电平状态，或者通过电容接地（例如脚8）以确保安全。
总结来说，检测IGBT管的好坏主要通过测量其内部电阻和二极管压降，同时了解其正常工作状态下的参数是至关重要的。通过这些方法，可以准确判断IGBT管是否受损，从而进行及时的替换或修复，保证电路的稳定运行。
