高功率半导体激光器列阵封装引入应变的测量.pdf

这篇论文主要探讨了高功率半导体激光器列阵封装过程中引入的应变的测量问题。由于封装过程中的应变对激光器的性能（如输出功率、波长）和可靠性有着显著影响，因此，精确测量和控制这些应变至关重要。研究采用了电致发光谱法，这是一种通过分析激光器输出光的偏振度变化来推导激光器有源区中量子阱带隙变化的方法。 论文以800nm GaAsP/GaInP高功率半导体激光器列阵为例，对其有源区的应变进行了测量。实验结果与有限元模拟计算结果相吻合，证明了这种方法的有效性。通过对激光器芯片封装前后应变状态的对比，发现激光器在封装过程中受到铜热沉的压缩作用，导致封装应变被引入到有源区，且激光器中心的封装应变大于边缘部分。 此外，研究还发现激光器有源区的应变分布存在明显的不均匀性，这可能是由于电镀法制备的铟焊接层中的缺陷所导致。论文中提到的最大封装应变为1.370×10^-3，缺陷密度为40.8%。这些结果表明，通过测量激光器的偏振度，可以准确反映出激光器的内部缺陷和封装应变，从而评价封装质量的好坏。 总结来说，这篇论文的研究成果对于优化高功率半导体激光器的封装工艺，提高其性能和可靠性具有重要的指导意义。通过测量偏振度这一非侵入式方法，可以有效地监测和控制封装过程中的应变，确保激光器的稳定性和效率。同时，对于电镀工艺的改进以及缺陷控制也是未来研究的重点，以减少封装过程中的不均匀应变，进一步提升激光器的整体性能。