肖特基型氮化镓紫外光电探测器性能

最小标准模型(MSM)结构的光电探测器主要分为光导型和肖特基型两种。制备得到了肖特基型的氮化镓(GaN) MSM结构紫外光电探测器,采用这种结构的器件主要是因为其暗电流低、响应时间快、响应度大、寄生电容小等优点。MSM形状的叉指电极是通过传统的紫外光刻和湿法刻蚀得到的,并采用Au作为金属电极。得到的肖特基型GaN紫外光电探测器的暗电流在1 V偏压下为3.5 nA,器件在1 V偏压下的最大响应度值出现在362 nm处,大小为0.12 A/W,器件的上升时间小于10 ns,下降时间为210 ns。并对器件响应时间的影响因素进行了深入的分析。