在超深亚微米工艺条件下，信号完整性问题包括串扰是一个有待深入研究的领域，新方法和新技术的采用将对芯片设计乃至集成电路设计方法学、设计流程、CAD工具以及设计人员的思维方式产生深远的影响。本文论述了TD-SCDMA芯片设计中串扰噪声的成因及影响，介绍了串扰预防、分析和修复的一般方法。
在超深亚微米工艺的现代集成电路设计中，信号完整性成为了设计者必须关注的重要问题，而串扰作为其中的关键因素，对芯片性能产生了显著影响。TD-SCDMA（时分同步码分多址）芯片设计中，串扰的分析与处理显得尤为重要，因为它直接影响着芯片的信号质量和整体性能。
串扰的成因主要在于相邻布线之间的耦合电容。在超深亚微米工艺下，由于特征尺寸、线宽和线间距的缩小，金属线之间的交叉耦合电容增加，导致串扰现象加剧。当一个信号线（攻击网）改变其状态时，通过耦合电容，会在邻近的信号线（受害网）上产生噪声，可能引起逻辑错误，特别是当这种噪声传递到锁存器或其他敏感元件的输入端时。
串扰对信号完整性和时序的影响主要体现在两个方面：一是噪声可能导致受害网的时延增加或减少，影响其正确响应时间；二是噪声可能导致时序问题，使高速芯片无法在最高速度下稳定工作。因此，串扰分析成为设计流程中不可或缺的一部分，需要对每个可能的攻击网和受害网进行详尽的评估，以确保设计的可靠性。
避免串扰的方法通常从设计初期就开始，包括布局阶段的合理规划，例如避免过于密集的布线，利用时钟脉冲相位差来控制信号跳变速度，以及优化弱驱动信号的路径。在布线阶段，可以采取一系列措施，如增大线间距，选择合适的金属层，缩短平行线长度，增加接地电容，使用屏蔽技术，添加缓冲器，调整门的大小以及重新布局线网等。这些策略在一定程度上能够减少串扰，但需要在有限的布线资源和芯片面积限制下权衡。
串扰是超深亚微米工艺芯片设计中的主要挑战之一，理解其机制、影响和应对策略对于提高TD-SCDMA芯片的性能至关重要。通过深入的串扰分析和有效的预防措施，设计师可以优化设计流程，确保芯片在高速运行时具备良好的信号完整性，从而提升系统的可靠性和稳定性。
