三菱电机第24讲的主题是结型场效应晶体管，这是一种利用电场来控制电流的半导体器件。场效应晶体管按照导电沟道的类型主要分为两种：结型场效应晶体管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。本次讲座的焦点在于结型场效应晶体管，它的工作原理、特性以及应用都是本次教程的重点内容。
结型场效应晶体管的核心组成部分是由P型或N型半导体构成的沟道以及两个与沟道相连的电极：源极（Source）和漏极（Drain）。沟道的中间是一个反向偏置的PN结，形成栅极（Gate），栅极用来控制通过沟道的电流。JFET的工作方式可以归纳为电压控制电流，这种控制是通过改变PN结的耗尽层宽度来实现的，耗尽层宽度的增减会直接决定沟道的宽度，进而控制源极与漏极之间的电流大小。
结型场效应晶体管根据沟道类型的不同又分为N沟道和P沟道两种。在N沟道JFET中，沟道是由N型半导体材料构成，而P沟道JFET的沟道则由P型半导体构成。不同的沟道类型影响了JFET的工作方式和特性曲线。比如在N沟道JFET中，当施加到栅极的电压变得更负时，将使得PN结耗尽区变宽，从而减小了N型沟道的有效导电区域，减少了电流。反之，在P沟道JFET中，施加的电压更正时，耗尽区变宽，导致电流减少。
场效应晶体管具有高输入阻抗、低噪声、快速开关、低功耗等优点，因此在放大器、数字电路、信号处理、电平转换器等多种电路中有广泛的应用。它的工作状态可以分为三个区域：截止区、非饱和区（或称为线性区、放大区）和夹断区。在截止区，栅极电压的绝对值足够大，导致耗尽层扩展到完全阻挡了源极和漏极之间的电流。在非饱和区，随着栅极电压的改变，漏极电流也相应变化，此时JFET表现为良好的线性放大作用。当漏极电压增加到一定程度，漏极电流趋向饱和不再增加，该状态称为夹断区，此时JFET失去了放大能力。
在实际应用中，JFET还常常被应用在低噪声放大器的设计上，特别是在要求高灵敏度和高稳定性的场合，比如在无线通信、音频放大等领域。另外，由于JFET在开路条件下具有非常好的温度稳定性，它在模拟开关电路、恒流源电路中也很常见。
为了掌握结型场效应晶体管的知识，需要通过理论学习和实际操作练习相结合的方法。通常，这包括了解JFET的原理图、构建基本的JFET放大器电路以及进行实验测量，比如测量输出特性曲线、转移特性曲线等，通过这些实验来加深对场效应晶体管工作原理的理解。同时，理解结型场效应晶体管的等效电路模型及其在电路仿真软件中的应用也十分重要。
值得注意的是，因为某些特殊原因导致提供的【部分内容】几乎无法辨识，导致无法进一步提供有关三菱电机第24讲：结型场效应晶体管-教程与笔记习题的具体知识点。如果需要详细了解这一主题，建议查阅相关的教科书或专业手册，或是参考三菱电机官方提供的教程资料。
