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CHANG E着陆器上用于EUV相机的弯曲焦平面极紫外探测器阵列
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CHANG E着陆器上用于EUV相机的弯曲焦平面极紫外探测器阵列
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30.4 nm极紫外成像探测器的实验研究
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报导了最新研制的30.4 nm极紫外成像探测器的实验研究结果。该探测器采用了楔条形阳极(WSA)、高增益V型级联微通道板组件、低噪声电子读出系统等先进技术,利用单光子计数成像技术在实验室成功获得了模拟图像。搭建了相应的实验系统,对探测器成像的线性度、空间分辨率、暗计数等性能进行了实验研究。结果表明,该探测器具有45 nm的有效面积,空间分辨率优于100 μm, 暗计数率低[0.4 count/(
极紫外光EUV光刻技术促进半导体格局新变化.pdf
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基于CE-3极紫外(EUV)相机最高工作温度为70 ℃的要求,对EUV相机的微通道板(MCP)位置灵敏阳极光子计数成像探测器实验件在70 ℃时的性能进行了研究,该探测器主要由工作在脉冲计数模式下的MCP堆、楔条形感应电荷阳极及...
可用于极紫外光刻的三线毛细管的概念设计
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极紫外光刻含缺陷掩模仿真模型及缺陷的补偿
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建立了一个基于单平面近似的极紫外(EUV)光刻三维含缺陷掩模的快速仿真模型。该仿真模型中,采用相位突变和振幅衰减表示缺陷对多层膜的反射系数的影响,吸收层模型采用薄掩模修正模型。以22 nm 三维接触孔图形为例,...
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提出了一种极紫外(EUV)单色仪定标新方法。对Mcpherson247型EUV单色仪进行波长定标,通过测量标准气体He空阴极光源的两条发射光谱30.38 nm和58.43 nm和标定过的中心波长为13.90 nm的Mo/Si多层膜反射镜的反射率峰值...
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