第一讲第一讲 LED主要参数与特性主要参数与特性
LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特
性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详细介绍。
1、LED电学特性
1.1 I-V特性
表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，
反之为高接触电阻。
如上图：
（1） 正向死区：（图oa 或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，
此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs 为1V，红色GaAsP 为1.2V，GaP 为1.8V，GaN 为2.5V。
（2）正向工作区：电流IF 与外加电压呈指数关系
IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS
为反向饱和电流。V＞0 时，V＞VF 的正向工作区IF 随VF 指数上升，
IF = IS e qVF/KT
（3）反向死区 ：V＜0 时pn 结加反偏压V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP 为0V，GaN 为10uA。
（4）反向击穿区
V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR 为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜- VR 时，则出现IR 突然增加而
出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED 的反向击穿电压VR 也不同。
1.2 C-V特性
鉴于LED 的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn 结面积大小不
一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。C-V 特性呈二次函数关系（如图2）。由1MHZ 交流信号用C-V 特性测试仪测得。
1.3 最大允许功耗PFm
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