日本三洋电机公司最近研制成功一种结构新颖的GaAlAs可见光半导体激光器。该新结构是在电流狭窄部釆用了用分子束外延生长的新材料,目前振荡波长为780毫微米和810毫微米的两类器件有实用价值。
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