没有合适的资源？快使用搜索试试~
我知道了~
文库首页
开发技术
其它
阶梯AlGaN外延新型Al0:25Ga0:75N/GaN HEMTs击穿特性分析
阶梯AlGaN外延新型Al0:25Ga0:75N/GaN HEMTs击穿特性分析
研究论文
0 下载量
54 浏览量
2021-04-02
16:58:08
上传
评论
收藏
526KB
PDF
举报
温馨提示
立即下载
阶梯AlGaN外延新型Al0:25Ga0:75N/GaN HEMTs击穿特性分析
资源推荐
资源评论
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析
浏览：101
本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程，针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理，提出了一种降低表面电场，提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。...
新型RESURF AlGaN / GaN HEMT的击穿电压分析
浏览：35
新型RESURF AlGaN / GaN HEMT的击穿电压分析
论文研究-生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性 .pdf
浏览：64
生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性，梅菲，付秋明，本文研究了用射频等离子体援助分子束外延，生长在蓝宝石衬底上的Al0.30Ga0.70N/GaN异质结。20纳米的Al0.30Ga0.70N阻挡层沉积在2微米的半绝缘
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制 (2004年)
浏览：201
基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN /GaN HEMTs功率器件，器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明，器件电流密度0.784A/mm，跨导197mS/mm，关态击穿电压>80V，截止态漏电很小，栅宽1mm的器件的单位截止频率...
Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O2 plasma implantation
浏览：78
Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O2 plasma implantation
表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
浏览：34
表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2 dimensional electron gas，2DEG)形成之间的关系，分析施主表面态电离过程�
论文研究-AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素 .pdf
浏览：27
AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素，刘艳，林兆军， 本文通过室温下测试得到的AlGaN/AlN/GaN HFETs的电流电压特性和电容电压特性，同时结合薛定谔方程与泊松方程自洽求解，研究了极化库仑�
高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
浏览：133
研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压...
Lg=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN layer by MOCVD
浏览：106
Lg=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n+-GaN layer by MOCVD
AlGaN/GaN HEMTs on 4-Inch Silicon Substrates in the Presence of 2.7-μm-Thick Epilayers with the Maximum Off-State Breakdown Voltage of 500 V
浏览：90
AlGaN/GaN HEMTs on 4-Inch Silicon Substrates in the Presence of 2.7-μm-Thick Epilayers with the Maximum Off-State Breakdown Voltage of 500 V
表面态对AlGaN/GaN 异质结构2DEG影响的模拟分析
浏览：197
表面态对AlGaN/GaN 异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，该文章主要利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）形成之间的关系，主要分析施主表面态电离过程及�
Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN-GaN Buffer.pdf
浏览：177
Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN-GaN Buffer.pdf
High quality Si doped Al0.49Ga0.51N grown on AlN/AlGaN superlattice with MOCVD
浏览：53
基于AlN/AlGaN超晶格结构高质量Si掺杂Al0.49Ga0.51N的MOCVD生长，李洋，陈圣昌，在本论文中，通过采用一套20周期的AlN/Al0.4Ga0.6N超晶格插入层制备了高质量的Si掺杂Al0.49Ga0.51N，厚度达到1.5μm。（0002）面X射线...
A scalable EE_HEMT based large signal model for multi-finger AlGaN_GaN HEMTs ……
浏览：93
A scalable EE_HEMT based large signal model for multi-finger AlGaN_GaN HEMTs ……
在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统
浏览：99
在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统，雷双瑛，，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研究了AlGaN/GaN双量子阱中的子带间跃迁。发现AlGaN/GaN双量子阱中通过加外电场或者调节双量子
超薄势垒AlGaN / GaN异质结构：一种用于制造高性能GaN-on-Si功率器件的无凹槽技术
浏览：198
超薄势垒AlGaN / GaN异质结构：一种用于制造高性能GaN-on-Si功率器件的无凹槽技术
AlGaN/GaN pressure sensor with a Wheatstone bridge structure
浏览：72
AlGaN/GaN pressure sensor with a Wheatstone bridge structure
AlGaN GaN HEMT-silvaco代码
浏览：185
5星 · 资源好评率100%
关于AlGaN GaN HEMT器件的silvaco仿真代码
带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析
浏览：13
带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析
行人惯性导航零速检测算法
浏览：115
行人惯性导航零速检测算法
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
浏览：89
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
浏览：120
5星 · 资源好评率100%
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
BA无标度网络中的SIR模型
浏览：94
BA无标度网络中的SIR模型
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
浏览：24
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
基于三次贝塞尔曲线的类汽车曲率连续路径平滑
浏览：65
本文重点研究在大型科学设施环境中工作的类似汽车的车辆的可行路径的生成。 考虑曲率连续性和最大曲率约束，一种新颖的路径平滑算法是根据三次贝塞尔曲线提出的。 在算法中，贝塞尔转弯和贝塞尔路径分别为发达。 Bezier 转弯首先设计用于连接两个任意配置。 然后可以通过以下方式获得贝塞尔路径使用贝塞尔曲线来拟合避免碰撞规划器提供的一系列目标点。 在算法的指导下，车辆可以以预定的方向到达目标点。 模拟实验进
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
浏览：105
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
浏览：111
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
基于FPGA的奇异值和特征值分解的快速实现。
浏览：66
基于FPGA的奇异值和特征值分解的快速实现。
基于BP神经网络的人口预测
浏览：43
基于BP神经网络的人口预测
评论
收藏
内容反馈
立即下载
资源评论
资源反馈
评论星级较低，若资源使用遇到问题可联系上传者，3个工作日内问题未解决可申请退款~
联系上传者
评论
weixin_38713099
粉丝: 4
资源:
906
私信
上传资源 快速赚钱
我的内容管理
展开
我的资源
快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益
我的积分
登录查看自己的积分
我的C币
登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
前往需求广场，查看用户热搜
最新资源
2109010044_胡晨燕_选课管理数据库设计与实现.prj
帕鲁介绍的PPT备份没什么好下的
demo1-202405
两种方式修改Intel网卡MAC地址
服务器搭建所需资源：static文件夹
Vue02的源码学习资料
Python 程序语言设计模式思路-行为型模式：访问者模式：在不改变被访问对象结构的情况下，定义对其元素的新操作
Vue01的相关代码资料
蓝桥杯单片机第十二届国赛题
Linux 常用命令参考手册, 日常运维的最佳拍档
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议，欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理！
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益，开通VIP直接复制
信息提交成功
