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第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si/SiO2界面电子结构与光学性质的影响
第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si/SiO2界面电子结构与光学性质的影响
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第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si/SiO2界面电子结构与光学性质的影响
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空位缺陷对CdS电子结构和光学性质的影响
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采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,对空位缺陷体系的几何结构进行优化计算,发现空位引起周围原子的弛豫,晶格结构发生畸变。在此基础上研究了空位缺陷对闪锌矿结构CdS体系电子结构(能带结构、电子态密度)的影响,结果表明,S空位使得能带变窄,而Cd空位使带隙变宽,但二者仍为直接带隙半导体。对光学性质的研究发现,由于空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化,使得空位缺陷体系光学性质
论文研究 - 硅/碳纳米管的电子结构和光学性质的第一性原理研究
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建立由碳纳米管（CNT）和硅纳米管（SiNT）形成的纳米管的超级电池。 通过基于密度泛函理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）的第一原理方法来实现电子结构和光学特性。 计算结果表明（6，6）-（6，6）硅/碳纳米管（Si / CNT）的直接带隙为0.093 eV，（4，4）-（6，6）硅/碳纳米管直接带隙为0.563 eV。 价带的顶部基本上由Si-3p状态和C-2p状态决定，导带的底部主要由Si
YFeO_3的电子结构和光学性质的第一性原理研究
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稀土正铁氧体YFeO3呈正交钙钛矿结构,其晶体和纳米晶材料在电极材料、传感器和光催化领域具有重要的应用价值.用平面波赝势方法,采用广义梯度近似、改进的Perdew-Burke-Emzerhof交换-关联势、实空间超软赝势计算方案,研究了YFeO3晶体的几何结构、电子结构和光学性质.计算得到的晶格参量与报道的实验结果一致.通过对能带结构、态密度、介电函数、吸收系数和光电导率的计算和分析,确定YFeO
空位缺陷对GaN：Fe电子结构和光学性能的影响
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使用基于密度泛函理论的第一性原理计算，我们研究了同时具有氮空位（VN）和镓空位（VGa）缺陷的GaN和6.25％Fe掺杂的GaN的光电性能。 通过分析能带结构，电子态分布，介电函数，吸收系数，折射率，反射率，能量损耗谱...
空位ZnO的第一性原理平面波赝势方法研究
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在研究半导体材料时，第一性原理计算是一种非常重要的理论计算方法，它能够帮助我们从基本物理定律出发，不需要依赖任何经验参数，对材料的电子结构进行计算。本文研究的对象是ZnO（氧化锌），它是一种典型的II-VI族...
基于第一性原理研究聚对苯二甲酸乙二酯的电子结构和光学性质
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基于密度泛函理论的第一性原理方法来研究聚对苯二甲酸乙二酯(PET)分子的电子结构和光学特性, 结果表明：PET分子的轨道贡献主要是由O原子的2p轨道和C原子的2p轨道组成, 而由能带结构计算得到的能隙比实验值要偏小; 对于最高占据轨道, 电荷密度主要分布在苯环两侧; 而对于最低未占据轨道, 最高的电荷密度主要分布在苯环上。由吸收光谱的吸收边得出的能隙与计算能带结构得到的结果一致, 并解释了介电函数
Co掺杂β-FeSi2电子结构及光学性质的第一性原理研究
浏览：170
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构，态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明，Co掺杂使得β-FeSi2的晶格常数a增大，b和c变化不大，晶格体积增大。Fe1-xCoxSi2的能带结构变为直接带隙，禁带宽度从0.74 eV减小到0.07 eV，Co的掺入削弱了Fe的3d态电子，但费米能级附近的电子态密度仍主要
第一性原理研究霰石的电子结构和光学性质
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采用线性缀加平面波方法, 研究了霰石的主要成分CaCO3的电子结构和线性光学特性, 结果发现, 霰石的主要成分CaCO3是一种具有直接带隙 4.29119 eV 的化合物, 在这种化合物中, C原子的2s态和O原子的2s态杂化形成了阴离子［CO3］2-, 并解释了介电函数虚部主要峰的形成原因, 同时计算和研究了霰石的吸收系数、能量损失系数、折射系数和湮灭系数等光学性质。
TiO2纳米管电子结构和光学性质的第一性原理研究? (2014年)
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运用基于密度泛函理论的第一性原理方法, 系统研究了小尺寸锐钛矿相(n, 0)型TiO2纳米管(D <16 ?)的几何构型、电子结构和光学性质. 结果表明: 随着管径增大, 体系单位TiO2分子的形成能降低, 体系趋于稳定; 在管径14 ?左右, (n, 0)型TiO2纳米管会发生一次构型的转变. 能带分析显示, TiO2纳米管的电子态比较局域化,小管径下(D<14 ?)其导电性更好;随
铁电体BaTiO3(001)表面电子结构的第一性原理研究
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铁电体BaTiO3(001)表面电子结构的第一性原理研究，蔡孟秋，，采用第一性原理的方法计算了BaTiO3(001) 空位表面的表面电子结构并与完美表面的电子结构对比.对Ti中止氧空位表面，一些内带隙Ti 3d态出�
网络技术-网络基础-掺杂CoO与铁磁体MoS2界省略的电子结构和磁性的第一性原理研究.pdf
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对Fe、Co和FeO掺杂的MoS2界面进行第一性原理计算后，研究揭示了各种界面的电子结构和磁特性。例如，Fe-S界面会导致MoS2的半导体特性消失，实现自旋注入；Co-S界面保持了MoS2的半导体特性，并呈现P型掺杂；Fe(B)-S...
Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究
浏览：47
基于第一性原理的密度泛函理论,用广义梯度近似方法(GGA)计算了Mg掺杂纤锌矿GaN的电子结构和光学性质,分析了能带结构与电子态密度以及掺杂前后GaN体系的介电函数与能带结构之间的关系。计算结果表明掺有Mg的GaN晶体的晶格常数及禁带宽度增加,并在价带顶引入受主能级,通过对比分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和光学吸收谱,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据。
Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算 (2009年)
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采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法，结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质，包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等．计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布，介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强，吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象；这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关．
掺杂CeO2光学性质和电子结构的第一性原理研究-论文
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对CeO2进行掺杂改性研究。通过计算未掺杂及不同掺杂情况下CeO2的几何晶体结构、能带和态密度、光学吸收谱。比较发现Fe和N元素单掺杂以及共掺杂后，晶胞都发生了畸变，体积变大；三种情况的掺杂后，导带均下移，导带变宽，密度减小；每种掺杂情况的光吸收曲线都比未掺杂的曲线高，都可以提高CeO2的光学性能，N单掺杂能提高太阳光中可见光吸收能力，而且在与金属共掺杂情况下能
大数据-算法-低维硅基纳米材料的空位拓扑缺陷与物性的数值模拟研究.pdf
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3. **数值模拟研究**：利用第一性原理计算，论文详细研究了硅烯中单空位缺陷的结构稳定性、电子性质以及它们在不同环境下的行为，例如在不同衬底上的表现。 4. **密度泛函理论（DFT）**：这是进行第一性原理计算的...
氧空位对钴掺杂氧化锌稀磁半导体电子结构的影响.pdf
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标题中的"氧空位对钴掺杂氧化锌稀磁半导体电子结构的影响"指的是在钴掺杂的氧化锌（ZnO）稀磁半导体中，氧空位（缺少氧原子的位置）如何改变材料的电子结构，从而影响其磁学性质。这篇文章通过第一性原理计算来研究...
氧空位对二氧化钒的电子和光学性质的影响
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二氧化钒是一种强关联材料，在接近室温（341K）时会经历从低温...因此，研究氧空位对二氧化钒性质的影响，有助于指导实验合成具有特定电子和光学性能的二氧化钒材料，进而在光电器件和传感器等应用方面发挥重要作用。
锐钛矿型TiO2空位缺陷性质的第一性原理研究* (2009年)
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本文运用基于局域密度泛函和赝势的第一性原理方法研究了锐钛矿相TiO2点空位缺陷性质和在具有点空位缺陷情况下的晶体结构、能带结构与态密度状况。分析发现缺陷使晶体结构发生畸变；近邻缺陷氧原子有靠近氧空位而远离...
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