（一）ＬＥＤ发光原理
发光二极管是由Ⅲ－Ⅳ族化合物，如ＧａＡｓ（砷化镓）、ＧａＰ（磷化镓）、ＧａＡｓＰ（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是ＰＮ结。因此它具有一般Ｐ－Ｎ结的Ｉ－Ｎ特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由Ｎ区注入Ｐ区，空穴由Ｐ区注入Ｎ区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图１所示。
假设发光是在Ｐ区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获
