NAND Flash芯片芯片K9F1208在在uPSD3234A的应用的应用
1 NAND FlaSh和NOR Flash 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、
低功耗等特点，被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash和NOR
Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。与NOR Flash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等
方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash的传输效率很高，但写入和擦除速度较低；
而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点，在非易失性类存
储设备中显现出强劲的市场竞
1 NAND FlaSh和NOR Flash
闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手机、
MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。与
NOR Flash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash
的传输效率很高，但写入和擦除速度较低；而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成
本低等特点，在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。
结构：NOR Flash为并行，NAND Flash为串行。
总线：NOR Flash为分离的地址线和数据线，而NANDFlash为复用的。
尺寸：典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1／8。
坏块：NAND器件中的坏块是随机分布的，需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
位交换：NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多，建议使用NAND闪存时，同时使用EDC／ECC算法。
使用方法：NOR Flash是可在芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，应用程序可以直接在FIash闪存内运行，不必再把代码读
到系统RAM中；而NAND Flash则需I／O接口，因此使用时需要写入驱动程序。
通过以上的分析和比较，NAND Flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用Samsung公司生产的NAND Flash
存储器芯片K9F1208作为存储介质，并应用在基于uPSD3234A增强型8051单片机的嵌入式系统中。
2 uPSD3234A简介简介
uPSD3234A是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型Flash单片机，其结构如图1所示。该单片机包含1个带
8032微控制器的Flash PSD、2块Flash存储器、SRAM、通用I／O口可编程逻辑、管理监控功能，并可实现USB、I2C、
ADC、DAC和PWM功能。其中，片内8032微控制器，带有2个标准异步通信口、3个16位定时／计数器、1个外部中断以及
JTAG ISP接口(用于在系统编程)，一般应用于手持设备、家用电器等领域中。
3 K9F1208介绍介绍
K9F1208是Samsung公司生产的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存储器。该存储器的工作电压为2.7～3.6 V，内部存储结构为
528字节×32页×4 096块，页大小为528字节，块大小为(16 KB+512字节)；可实现程序自动擦写、页程序、块擦除、智能的读
／写和擦除操作，一次可以读／写或者擦除4页或者块的内容，内部有命令寄存器。如图2所示，该器件按功能可以划分为：
存储阵列、输入／输出缓冲、命令寄存器、地址译码寄存器和控制逻辑产生。其中，命令寄存器用来确定外部设备对存储器进
行操作的类型；地址译码寄存器用于保存被访问的地址并产生相应的译码选通信号。主设备通过8位I／O端口分时复用访问器
件命令、地址和数据寄存器，完成对芯片内存储器的访问。
资源评论
