本文通过结合LDO与Brokaw基准，设计出了高PSR的带隙基准，此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB，PSR为-36 dB，温漂可以达到7.5 ppm，适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分，使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。 1 电路结构 1.1 基准 目前的基准可以有多种实现方案：混合电阻，Buck voltage transfer cell，但是修调复杂，不宜工业化。本设计采用Brokaw基准，其较易实现高压基准输出，并且其温漂、PSR及启动特性均较好。本文采用的改进的Brokaw基准的结构如图1所示。 对此的分析： 三极管的输出电流公式：
