主存储器,通常指的是计算机系统中用于临时存储数据和程序的部件,是计算机与外界信息交换的桥梁。主存储器的组成与设计对于计算机系统的性能有着至关重要的影响。接下来将详细介绍主存储器的组成、技术指标、分类、与CPU及外围设备的连接方式、以及动态存储器的工作原理和读写过程。 主存储器的技术指标主要有两个方面:读写速度和存储容量。读写速度通常用存储周期来衡量,存储周期指的是连续启动两次独立存储操作的时间间隔。存储容量则是通过构成存储器的字节数或字数来度量。 主存储器与CPU及外围设备的连接主要通过三类总线实现:地址总线、数据总线和控制总线。地址总线负责选择存储单元,其位数决定了寻址空间的大小;数据总线则用于数据传输;控制总线则用于指导总线的工作周期和传输完成时刻。 根据信息保存的长短,主存储器主要分为两类:只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)。按照生产工艺,又可以分为静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)。SRAM读写速度快,成本较高,适用于小容量高速缓冲存储器;DRAM读写速度较慢,集成度高,成本较低,常用于主存储器。DRAM需要定时刷新,以免存储信息丢失。 动态存储器由单个MOS管存储一位二进制信息,信息存储在MOS管源极的寄生电容中。写操作时,字线为高电平,T导通,根据数据线电平向电容充电或放电。读操作时,先使位线为高电平,再通过字线使T导通,根据电容是否存储电荷导致数据线电位变化来读取信息。 教学计算机的内存储器设计涉及地址总线、控制总线和数据总线的设计。地址总线由地址寄存器AR驱动,控制总线的信号由译码器74LS139产生,用于标明总线周期类型。数据总线分为内部数据总线IB与外部数据总线DB两部分,通过三态门电路实现数据传输。系统时钟及时序决定了CPU、内存和IO的同步运行,采用分频后的晶振作为系统主时钟。 教学计算机的内存储器使用静态存储器芯片,包括2K字的ROM区和2K字的RAM区,内存字长为16位,按字寻址。静态存储器的字位扩展通过多个存储器芯片来实现,例如使用两片74LS6116芯片完成4K字的RAM扩展,地址分别分配在0~2047和2048~4095。 通过上述内容的学习,我们可以了解到主存储器的组成与设计是一个复杂的工程问题,它不仅涉及存储器的技术指标,还涉及到存储器的分类、与CPU及外围设备的连接、以及静态和动态存储器的设计原理和读写过程。掌握这些知识点有助于我们更好地理解计算机硬件的工作原理,对于计算机科学与技术的研究和开发都有着重要的意义。
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