基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用B3LYP下的赝势基组LanL2DZ,研究了InnAsn(n=1-20)团簇的基态几何结构、相对稳定性、电子性质及其振动光谱.结果表明,当n=5-ll时团簇的基态构型为层状结构;当n=12-20时团簇的基态构型为笼状结构.团簇平均结合能、二阶能量差分和HOM0-LUM0能隙均在n=9,12,18出现极大值,说明In9As9、Inl2Asl2和Inl8Asl8为幻数团簇.另外,HOMO―LUMO能隙的计算结果表明InnAsn(n=1-20)团簇具有宽带隙半导体特征.
