镓掺杂碳纳米管场发射性能的研究 (2006年)

采用催化热解方法制备出镓掺杂碳纳米管。并利用丝网印刷工艺将其制备成纳米管薄膜。扫描电子显微镜观察表明，纳米管直径在20～50nm之间。对此薄膜进行低场致电子发射测试表明，其场发射性能优于同样条件下未掺杂时的碳纳米管、碳氮纳米管和硼碳氮纳米管。当外加电场为1.1V/弘m。发射电流密度为50”A/cm2；当外电场增加到2.6V/μm时，发射电子密度达到500μA/cm2,对其场发射机理进行探讨。