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怎样正确使用MOS 集成电路
怎样正确使用MOS 集成电路
CMOS
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如何正确使用MOS 集成电路
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所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电
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所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害
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