使用脉冲电子沉积技术在单晶硅衬底上生长平均粒径接近150 nm的La0.67Ca0.33MnO3颗粒膜，然后将聚焦离子束引入以在该颗粒上制备尺寸为300 x 900 nm的纳米桥电影。 研究了两个样品的磁传输性质。 对于薄膜，在与温度相关的电阻（RT）曲线中，只有一个电阻峰值位于182 K，远低于250 K的铁磁-顺磁转变温度（T（C））。在纳米曲线的RT曲线和取决于温度（MR-T）曲线的磁阻中都观察到一个峰，一个峰在186 K，非常接近薄膜的金属-绝缘体转变温度（T（P）），另一个峰一个是在250 K，接近薄膜的T（C），这两个峰分别是由晶粒和晶界（GB）引起的，这表明晶粒的电传输行为与GB的电传输行为是分开的。
