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锥形蓝宝石衬底上的GaN层中的螺纹位错an没
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2021-03-18
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图形化蓝宝石衬底上GaN的侧向外延生长使得外延材料的位错密度从1010 cm-2降低到107 cm-2,这减少了发生非辐射复合的载流子,多量子阱发射更多的光子,LED的内量子效率提高。此外,图形化蓝宝石衬底能够有效散射从多...
蓝宝石衬底分子束外延生长GaN薄膜的原位椭偏光谱分析
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通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶面衬底可有效地抑制GaN外延层中螺旋位错...
图形化蓝宝石衬底技术综述
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采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED...
使用中温/高温双层AlN缓冲液提高Si(111)衬底上GaN的质量
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通过金属有机化学气相沉积,为在Si(1 1 1)上生长的GaN引入了中温/高温(MT / HT)双层AlN缓冲液。 比较了具有MT / HT双层AlN缓冲层的GaN膜和具有单层HT-AlN缓冲层的GaN膜的性能,并研究了MT-AlN层的生长温度的影响...
使用脉冲金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长具有面内晶格匹配的In_(0.17)Al_(0.83)N中间层的GaN膜的改善的晶体质量
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三甲基铝流量的不同函数生长的成分梯度AlGaN缓冲层对Si(111)衬底上GaN性能的影响
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AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响
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AlN缓冲液对6H-SiC衬底上生长的GaN薄膜物理性能的影响
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论文研究-InP/GaAs异质外延低温InGaP组分渐变缓冲层中的位错和应变研究 .pdf
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