通过细金属线连接的具有微米级特征尺寸的金属电开口环谐振器（SRR）进行构图，以形成周期性分布的平面阵列。 在直接在半绝缘砷化镓（SI-GaAs）晶片上生长的n掺杂砷化镓（n-GaAs）层上制造阵列的金属SRR 。 图案化的金属微结构和n-GaAs层构成一个肖特基二极管，该肖特基二极管可以支持施加的外部电压以修改器件的性能。 所开发的体系结构具有典型的功能超材料特性，因此建议在垂直入射时揭示太赫兹波传输中的电压调节特性。 我们还演示了由阵列金属SRR组成的基于压控Fabry-Pérot的超材料器件的太赫兹传输特性。 迄今为止，许多 在早期开发的作品超材料已被用于调节在太赫兹波长范围内的特定频率，这主要由电感-电容支配传输幅度或相位。 但是，在我们的工作中，开发了外部电压控制超材料器件，并且基于法布里-珀罗（FP）共振和0.025-1.5 THz范围内的相对较弱的表面等离子体激元极化（SPP）共振，它们具有非凡的传输调节特性提出了。 因此，我们的研究表明基于双模谐振的超材料在改善太赫兹传输调节方面的潜在应用。
