据介绍，通过PowerTrench MOSFET技术，高端“控制”MOSFET(FDS6298)和低端“同步”MOSFET(FDS6299S)构成了一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大电流密度和更高效率。此外，FDS6299S器件的单片电路SyncFET技术无须使用外部肖特基二极管，节省了电路板空间和装配成本。 该集成芯片组的米勒电荷(Miller)Qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的Qgd/Qgs比，限制了交叉导通(Cross-conduction)损耗的可能性。除Vcore设计之外，快速开关FDS6298和低导通阻抗RDS(on)FDS6299S提供了配对使用的好处，适用于
