电源技术中的为节能式电源选择正确的拓扑
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2020-11-06
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电源技术中的为节能式电源选择正确的拓扑电源技术中的为节能式电源选择正确的拓扑
引言 世界各地有关降低电子系统能耗的各种倡议，正促使单相交流输入电源设计人员采用更先进的电源技
术。为了获得更高的功率级，这些倡议要求效率达到87%及以上。由于标准反激式(flyback)和双开关正激式等传
统电源拓扑都不支持这些高效率级，所以正逐渐被软开关谐振和准谐振拓扑所取代。 工作原理 图1所
示为采用三种不同拓扑(准谐振反激式拓扑、LLC谐振拓扑和使用软开关技术的非对称半桥拓扑)的开关的电压和
电流波形。 图1.准谐振、LLC和非对称半桥拓扑的比较 输出二极管电流降至零 当初级端耦合回次
级端时的斜坡变化 体二极管导通，直到MOSFET导通
引言
世界各地有关降低电子系统能耗的各种倡议，正促使单相交流输入电源设计人员采用更先进的电源技术。为了获得更高的
功率级，这些倡议要求效率达到87%及以上。由于标准反激式(flyback)和双开关正激式等传统电源拓扑都不支持这些高效率
级，所以正逐渐被软开关谐振和准谐振拓扑所取代。
工作原理
图1所示为采用三种不同拓扑(准谐振反激式拓扑、LLC谐振拓扑和使用软开关技术的非对称半桥拓扑)的开关的电压和电流
波形。
图1.准谐振、LLC和非对称半桥拓扑的比较
输出二极管电流降至零
当初级端耦合回次级端时的斜坡变化
体二极管导通，直到MOSFET导通
这三种拓扑采用了不同的技术来降低MOSFET的开通损耗，导通损耗的计算公式如下：
在这一公式中，ID为刚导通后的漏电流，VDS为开关上的电压，COSSeff为等效输出电容值(包括杂散电容效应)，tON为
导通时间，fSW为开关频率。
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