采用循环伏安法，在1 mol／L的KOH溶液中控制电位-1 000 mV～-450 mV(vs SEC)之间以1 mV／s的速度扫描，在铜片基体上生成Cu2O薄膜。采用阴极电沉积法，以0.1 mol／L的 CH3COONa和0.02 mol／L的(CH3COO)2Cu溶液作为电解液，控制恒电位-245 mV(VS SEC)、室温条件下电沉积2 h～3 h在石墨板上制得Cu2O薄膜。分别用两种方法制得的薄膜催化剂对甲基橙溶液进行了光催化及光电催化降解。实验表明：铜片基体上膜的降解效果稍好于石墨基体上的膜；当
