专用芯片技术中的芯片反向技术干货：FIB芯片电路修改

在各类应用中，以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。封装后的芯片，经测试需将两条线路连接进行功能测试，此时可利用聚焦离子束系统将器件上层的钝化层打开，露出需要连接的两个金属导线，利用离子束沉积Pt材料，从而将两条导线连接在一起，由此可大大缩短芯片的开发时间。这也是芯片解密常用到手法。 　　利用聚焦离子束进行线路修改，（A）、（B）将欲连接线路上的钝化层打开，（C） 沉积Pt材料将两个线路连接起来。 　　 　　其实FIB被应用于修改 专用芯片技术中的芯片反向工程，特别是在FIB（聚焦离子束）芯片电路修改方面的应用，是一种高精度的微纳米加工技术，对缩短芯片研发周期和降低成本具有显著效果。芯片反向技术主要涉及到对已封装芯片的电路进行修复、验证和功能调整。在描述中提到，当需要对芯片进行功能测试，尤其是需要连接两条线路时，FIB技术能够发挥作用。通过FIB系统，可以精确地去除芯片上层的钝化层，暴露出金属导线，然后利用离子束沉积技术，如沉积Pt材料，将这两条导线连接起来，从而快速完成电路修改，极大地减少了重新制作光罩和试产的成本。 FIB技术不仅仅局限于线路修改，它还有多种用途。例如，它可以用于样品的原位加工，即在纳米级别上进行微细加工，如同一把精密的手术刀，可以在显微镜下进行材料的剥离和沉积。此外，FIB技术在剖面制备观察中也至关重要，特别是在微电子、半导体及功能器件领域，用于分析器件异常的原因，通过制备剖面直接观察物理层面的问题。 FIB技术还可以实现诱导沉积材料，即利用电子束或离子束分解金属有机气体化合物，从而在样品的特定区域沉积所需材料，如SiO2、Pt、W。这种能力允许对器件电路进行修改，以改变其功能。 在透射电子显微镜（TEM）制样方面，FIB技术同样表现出色。传统的TEM样品制备方法效率较低，而FIB技术可以对样品的局部进行精确切割，提供更方便的观察途径。 此外，FIB系统配合微操纵仪可以进行原位电性能测试，例如使用Kleindiek Nanotechnik MM3A微操纵仪，该设备具有纳米级的步进精度，可以进行多方向的精确移动，适用于在芯片上进行精细的电气性能测试和分析。 值得注意的是，FIB技术在芯片解密中也有应用，通过探针进行电路分析，但具体的解密方法属于技术机密，这里并未详细展开。FIB芯片电路修改技术的广泛应用，表明了在专用芯片技术中，这种高科技手段对于提高研发效率、优化设计和解决复杂问题的重要性。