快速光电探测器脉冲响应的电光取样测量

建立了半导体激光器电光取样系统。选择1.3 μm，InGaAs增益开关半导体激光器作为取样光源，利用微带GaAs衬底的纵向电光效应作为电光取样器，测量了InGaAs/InP雪崩二极管的脉冲响应特性。分析表明，本系统具有0.35 mV/Hz1/2的电压灵敏度和9 ps的时间分辨率。