半导体金属复合结构中的异常磁电阻效应分析 (2008年)

从电磁方程的解析解出发,分析高对称性 van der Pauw disk装置的异常磁电阻效应,重点研究该体系 的几何非均匀性与物理非均匀性对整体磁电阻效应的影响。通过定义三个非均匀参数表征体系的非均匀性, 给出该装置中电磁输运性质随非均匀系数的变化。计算结果表明,体系的磁电阻比值在一定的几何非均匀结 构下达到最优化,整个装置在磁场下呈现出良好的开关效应。同时,材料在迁移率和电阻率上的非均匀性对异 常磁电阻效应产生明显影响。特别地,组分电阻率的差别导致异常磁电阻效应出现符号翻转。