没有合适的资源?快使用搜索试试~
我知道了~
文库首页
开发技术
其它
低压化学气相沉积法生长的GaN与SiNx结晶界面处的近导带态
低压化学气相沉积法生长的GaN与SiNx结晶界面处的近导带态
研究论文
0 下载量
200 浏览量
2021-03-30
01:30:14
上传
评论
收藏
1.87MB
PDF
举报
温馨提示
立即下载
低压化学气相沉积法生长的GaN与SiNx结晶界面处的近导带态
资源推荐
资源评论
低压化学气相沉积法生长的GaN(cap)/ AlGaN / AlN / GaN异质结构与SiNx栅介电层之间的界面陷阱和固定电荷的研究
浏览:126
低压化学气相沉积法生长的GaN(cap)/ AlGaN / AlN / GaN异质结构与SiNx栅介电层之间的界面陷阱和固定电荷的研究
低压化学气相沉积中石墨烯在三氯化铁溶液浸泡的铜基板上的生长行为
浏览:83
引入了用FeCl3溶液浸泡铜基板的方法,以显着降低石墨烯的初始成核密度(从0.29到0.05 mm(-2)最多可增加6倍),并且成功地提高了整个石墨烯的覆盖率。 成核密度的降低归因于根据X射线光电子能谱结果,用FeCl3溶液处理后铜的氧化。 浸泡处理导致在化学气相沉积过程中表面更粗糙,并因此导致明显的表面形态重建。 通过浸泡在FeCl3溶液中对铜基板进行预处理是控制石墨烯生长的一种简单且经济的方法
金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究* (2015年)
浏览:29
采用金属有机物化学气相沉积技术生长了不同掺杂浓度的GaN薄膜, 并且通过霍尔效应测试和塞贝克效应测试, 表征了室温下GaN薄膜的载流子浓度、迁移率和塞贝克系数. 在实验测试的基础上, 计算了GaN薄膜的热电功率因子, 并且结合理论热导率确定了室温条件下GaN薄膜的热电优值(Z T). 研究结果表明:GaN薄膜的迁移率随着载流子浓度的增加而减小, 电导率随着载流子浓度的增加而增加; GaN 薄膜材料
气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响
浏览:21
基于石墨烯低压化学气相沉积技术, 通过调控甲烷流量对比研究了传统生长腔和气相捕获腔中石墨烯在铜箔衬底上的形核生长特点。结果表明, 与传统 生长腔相比, 气相捕获腔能够将石墨烯的形核密度降低3个数量级, 并促使石墨烯晶核快速长大。同时, 气相捕获腔能够为石墨烯提供一个稳定的生长环境, 有利于制备晶格完美的石墨烯晶畴, 并为石墨烯晶畴的融合提供更多的有效活性碳原子, 加速石墨烯晶畴之间的融合, 提高
微波电子回旋共振-化学气相沉积SiN
浏览:28
研究了微波电子回旋共振-化学气相沉积SiNx薄膜的光学性能,这种SiNx薄膜具有透光谱宽、透光率高的特点,总结了透光谱、折射率、光隙能随微波功率、基片温度的变化关系。
PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响.pdf
浏览:167
在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中, 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化, 同时在p
沉积温度对PECVD 法制备SiNx 薄膜光致发光峰的影响 (2012年)
浏览:119
本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在p 型单晶硅(111)衬底上成功地制备了不同温度条件下的SiNx薄膜。室温下,在352 nm 光源激发下,每个样品有2 个发光位置,所有样品总共观测到了4 处不同的发光峰位:390、...
具有Al2O3 / SiNx堆叠的In0.83Ga0.17As光电二极管的低泄漏
浏览:60
分别通过原子层沉积(ALD)和感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)依次沉积Al2O3和SiNx层。 与通过ICPCVD沉积的单层SiNx钝化层相比,Al2O3 / SiNx叠层可使In0.83Ga0.17As光电二极管的暗电流降低20%以上。 暗...
p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究.pdf
浏览:193
以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系
用于纳米光子应用的PEVVD SiNx:H薄膜的机械应变
浏览:141
通过高频等离子体增强化学气相沉积(HF PECVD)在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜(SiNx:H)。 主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性(尤其是应力)中的作用。 通过傅立叶变换红外光谱(FTIR...
双层SiN
浏览:66
采用X 射线光电子能谱(XPS)分析了单层和双层SiNx 膜中的化学键、N/Si 比及Si、N、C、O 原子百分比,进一步验证了等离子体增强化学气相沉积法沉积单层和双层SiNx膜对单晶硅太阳电池电学性能的影响。XPS、反射率及少子...
使用SiNx / a-IZO层压促进有机发光二极管的透明阻气层
浏览:190
我们研究了一种完全无机透明的阻挡层,该阻挡层由使用等离子体增强化学气相沉积的SiNx层和通过等离子体气相沉积的非晶态铟-锌-氧化物(a-IZO)层交替组成。 完全的无机薄膜阻挡层显示较低的水蒸气透过率(WVTR)为...
sinx bp_BP算法拟合sinx函数_
浏览:161
5星 · 资源好评率100%
利用BP神经网络拟合sinx函数,有训练集和测试集生成的部分,代码完整
Java中用Applet画sinx
浏览:155
5星 · 资源好评率100%
Java中用Applet画sinx,代码是比较全,使用Eclipse开发。
龙贝格算法计算积分sinx/x积分
浏览:79
数值积分 用龙贝格算法计算下面积分sinx/x,积分限0~1,精度要求为10-6.
sinx_BP算法_
浏览:109
5星 · 资源好评率100%
基于BP网络的sinx函数的实现,详细介绍了如何在MATLAB上实现基于深度学习中的BP算法来实现sinx函数,从中可以清晰的看到bp算法是怎么是实现的,参数是怎么设置的
用于AlGaN / GaN MIS-HEMT的LPCVD-SiNx栅极电介质与III型氮化物之间的界面研究
浏览:3
用于AlGaN / GaN MIS-HEMT的LPCVD-SiNx栅极电介质与III型氮化物之间的界面研究
BP_no_toolbox.zip_BP神经网络的matlab程序_bp sinx_sinx的逼近函数_不使用工具箱_神经网络
浏览:83
5星 · 资源好评率100%
简单的三层BP神经网络结构来做sinx的函数逼近,不使用工具箱编写,简单易学,结构清晰,适合初学者
求sinx^3的定积分
浏览:42
求定积分范围1到2,sinx^3的定积分
LPCVD和PECVD-SiNx钝化的AlGaN / GaN HEMT的比较研究
浏览:43
LPCVD和PECVD-SiNx钝化的AlGaN / GaN HEMT的比较研究
dsp课程设计sinx课程设计
浏览:160
大三期末dsp课程设计中正弦波形发生器利用汇编程序编写
行人惯性导航零速检测算法
浏览:157
行人惯性导航零速检测算法
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
浏览:67
5星 · 资源好评率100%
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
浏览:64
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
浏览:47
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
BA无标度网络中的SIR模型
浏览:180
BA无标度网络中的SIR模型
基于三次贝塞尔曲线的类汽车曲率连续路径平滑
浏览:18
本文重点研究在大型科学设施环境中工作的类似汽车的车辆的可行路径的生成。 考虑曲率连续性和最大曲率约束,一种新颖的路径平滑算法是根据三次贝塞尔曲线提出的。 在算法中,贝塞尔转弯和贝塞尔路径分别为发达。 Bezier 转弯首先设计用于连接两个任意配置。 然后可以通过以下方式获得贝塞尔路径使用贝塞尔曲线来拟合避免碰撞规划器提供的一系列目标点。 在算法的指导下,车辆可以以预定的方向到达目标点。 模拟实验进
评论
收藏
内容反馈
立即下载
资源评论
资源反馈
评论星级较低,若资源使用遇到问题可联系上传者,3个工作日内问题未解决可申请退款~
联系上传者
评论
weixin_38685608
粉丝: 1
资源:
996
私信
上传资源 快速赚钱
我的内容管理
展开
我的资源
快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益
我的积分
登录查看自己的积分
我的C币
登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
前往需求广场,查看用户热搜
最新资源
idea下划线转驼峰插件
gcc+makefile你必须懂得前提知识
AK手机最新版.apk
简单的学生信息管理系统
数据库课程设计-企业员工培训管理系统.doc
蓝牙测试软件-HC-05AT测试版
三维装箱的概要介绍与分析
虚拟棋盘的概要介绍与分析
MATLAB最优化计算源代码.zip
磁盘镜像工具 FTK image
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功