太赫兹光非对称解复用器中自发辐射 噪声特性分析

提出了一个在超短脉冲注入半导体光放大器(SOA)时，在考虑了半导体带间效应以及带内效应，包括载流子热效应、谱烧孔效应、双光子吸收效应以及超快非线性折射效应的自发辐射噪声的计算模型。并利用该模型计算了放大自发辐射(ASE)噪声对太赫兹光非对称解复用器(TOAD)开关性能的影响。数值结果表明，在考虑ASE噪声情况下，TOAD的开关窗口的边沿更陡，在开关窗口的尾部还会出现明显的小峰。结果还表明，在输入为理想孤子脉冲下，即使考虑ASE噪声，在TOAD处于开的状态时，其输出信号的信噪比也大于25dB。