通信与网络中的ST推出更小、更薄的以太网供电设备IC

保护型芯片全球领先厂商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出全新的符合以太网供电标准的单片电涌保护器件，可以抑制包括静电放电（ESD）在内的高压电涌，有助于简化以太网供电设备的设计。意法半导体的PEP01-5841保护芯片用于保护电源设备（PSE），例如通过以太网电缆提供48V电压的PoE以太网交换机或集线器。 　　以太网供电（PoE）或IEEE 802.3at工业标准让电子设备如IP电话（VoIP）、无线局域网接入点、电子标签（RFID）阅读器、传感器或摄像头等不用外部电源也能联网。这项标准为终端设备用户带来更高的便利性和灵活性，因为不再需要AC/DC电源适配器，还能降低设备的成本。 在通信与网络领域，ST（意法半导体）作为全球领先的保护型芯片制造商，推出了一款创新的以太网供电（PoE）设备集成电路——PEP01-5841。这款芯片旨在满足IEEE 802.3at工业标准，提供高效的电涌保护功能，特别是针对静电放电（ESD）的防护，从而简化了以太网供电设备的设计流程。ST的PEP01-5841主要应用于电源设备（PSE），如PoE以太网交换机和集线器，这些设备能够通过以太网电缆为终端设备提供48V电压。 以太网供电技术，即PoE，是一项革命性的标准，它允许诸如IP电话（VoIP）、无线局域网接入点、RFID阅读器、传感器和摄像头等设备无需外部电源就能接入网络。PoE的实施提高了终端用户的便利性，减少了对AC/DC电源适配器的需求，降低了设备成本，并增加了部署的灵活性。据VDC研究部预测，到2012年，PoE以太网交换机的年出货量将超过1.32亿口，显示了其广泛的应用前景和市场需求。 然而，PoE系统必须能够抵御电线上的瞬态电压，最高可达100V，同时还需要额外的保护来防止ESD和EOS等高电压电涌对电源造成损害。传统的解决方案通常依赖于分立器件来将浪涌电压限制在121V以下。ST的PEP01-5841在紧凑的5 x 6mm封装内整合了100V的钳位保护元件和滤波电容器，可保护多达4个PoE输出端口，大大简化了设计并节省了电路板空间，效率提升了55%。 PEP01-5841的独特之处在于它是首款达到IEC 61000-4-5标准规定的1kV电涌保护电压，且钳位电压与100V电源设备控制器兼容的保护芯片。此外，它的ESD保护功能符合全球标准，如IEC 61000-4-2和MIL-STD-883 Method 3015，确保了设备的全面安全防护。 意法半导体的这款新产品PEP01-5841已正式上市，采用了工业标准的SO-8封装，为设计人员提供了强大的工具，以实现更小、更薄的PoE设备设计，同时保持高可靠性和性能。这款芯片的推出，无疑将进一步推动PoE技术在通信与网络应用中的普及和发展。