用于合成孔径辐射计的集成接收机设计

采用0.13 μm GaAs pHEMT工艺，提出一种Ka波段低噪声下变频单片式微波集成接收机，可满足合成孔径辐射计应用要求。该设计由4级低噪声放大器模块和由双平衡混频器组成的镜像抑制混频器组成。仿真结果显示，在输入信号频率为29～34 GHz时，芯片的变频增益为17～20 dB，镜像抑制度超过20 dBc，噪声系数为2.6～3 dB。