Pb(Hf0.3Ti0.7)O3铁电薄膜的制备与性能研究? (2014年)

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采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3 Ti0.7 )O3 (PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能.研究表明,生长温度为400 ℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT 薄膜矫顽场(2Ec)为 390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为 53.1μC/cm2,经 1.5×109次翻转后剩余极化强度保持 85％;PHT 薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为 540.PHT 薄膜有望应用于铁电随机存储器.

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