基础电子中的基础元件介绍基础电子中的基础元件介绍——半导体二极管半导体二极管
晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电
场。当不存在外加电压时，由于P-N结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于
电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引
起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内
与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 当外加的反向电压高到一定程度时，P-N结空间电荷层中的电场
强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管
的击
晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存
在外加电压时，由于P-N结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱
和电流。
当外加的反向电压高到一定程度时，P-N结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空
穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
半导体二极管的主要参数半导体二极管的主要参数
二极管伏安特性曲线如图1所示。
图1 二极管伏安特性曲线
1.反向饱和漏电流反向饱和漏电流IR
指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。在常温下，硅管的IR为纳安
（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2.额定整流电流额定整流电流IF
指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流最大平均整流电流IO
在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流最大浪涌电流IFSM
允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5.最大反向峰值电压最大反向峰值电压VRM
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