MM3Z9V1ST1G的技术参数

产品型号:MM3Z9V1ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.230@Izt(mA):160齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大功率PMax(W):0.200芯片标识:TK封装/温度(℃):SOD323/-65~150价格/1片(套):￥.25