宽带取样示波器校正中的kick-out脉冲研究 (2007年)

对取样示波器采用NTN校准技术中的kick-out脉冲的参数进行了分析；按照二极管时变电导的模式推导了kick-out脉冲参数的数学表达式；分析了影响kick-out脉冲的参数；提出了NTN校正技术应用的带宽范围和条件。仿真实验说明充电电容值越小，kick-out脉冲的频谱带宽越宽；二极管电感参数不对称有利于展宽频带，但增加了超调；由于选通脉冲泄漏，kick-out脉冲的频谱响应图中存在凹槽。