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GaAs半导体激光器的化学和等离子刻面钝化
GaAs半导体激光器的化学和等离子刻面钝化
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《980nm半导体激光器腔面膜钝化新技术》这篇论文详细探讨了半导体激光器的腔面膜钝化技术,特别是针对980纳米波长的InGaAs/A1GaAs半导体激光器。腔面膜钝化是提升激光器性能的关键工艺之一,它能够显著影响器件的...
半导体激光器基础教材
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半导体激光器的制作及介绍
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此后,随着砷化镓(GaAs)、铟镓砷(InGaAs)等半导体材料的开发,以及异质结、量子阱等结构的引入,半导体激光器的效率、稳定性和工作波长范围得到了显著提升,逐步满足了实际应用的需求。 ### 激光二极管的一般...
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标题中的“高功率808nmAlGaAs_GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征”指的是在半导体激光器领域,一种基于AlGaAs/GaAs材料的高功率808纳米波长激光二极管条(通常称为巴条)的热特性。这种激光器在工作时会产生大量的...
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半导体激光器原理是现代光电子学和激光技术的基础,了解半导体激光器的工作原理和结构是学习激光技术的必备知识。本PPT学习教案涵盖了半导体激光器的基本概念、半导体物理基础知识、半导体激光器的工作原理、结构及...
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综上所述,940纳米水平腔面发射分布式反馈半导体激光器的设计与制备涵盖了半导体物理、光学工程、微纳加工技术和材料科学等多个领域的知识。通过对光栅结构参数的优化,可以实现窄线宽、高功率和良好光束质量的激光...
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GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算
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