掺Te的GaSb退火后的电学和光学性质

GaSb是GaSb系统混合半导体外延生长中最合适的衬底。在这项工作中，将具有不同掺杂浓度的Te掺杂的GaSb块状晶体在环境锑中于550℃退火100小时。 通过霍尔效应测量，红外（IR），光透射，辉光放电质谱（GDMS）和光致发光（PL）光谱对退火样品进行了研究。 退火后，掺Te的GaSb样品表现出载流子浓度的降低和迁移率的增加，以及低于间隙IR透射率的改善。 原生受体相关的电补偿分析表明，能量水平较高的供体缺陷形成。 讨论了缺陷变化的机理及其对材料性能的影响。