基于VxWorks的NAND FLASH驱动程序设计
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2020-10-24
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基于基于VxWorks的的NAND FLASH驱动程序设计驱动程序设计
目前，随着电子技术的不断发展，计算机技术也得到飞速的发展，产生了很多新技术。但就计算机的基本结构
来说，还是基本采用了冯·诺依曼结构。然而冯·诺依曼结构的一个中心点就是存储一控制，所以存储器在计算机
系统中的作用是非常重要的。
0 引引 言言
目前，随着电子技术的不断发展，计算机技术也得到飞速的发展，产生了很多新技术。但就计算机的基本结构来说，还是基本
采用了冯·诺依曼结构。然而冯·诺依曼结构的一个中心点就是存储一控制，所以存储器在计算机系统中的作用是非常重要的。
嵌入式计算机作为计算机中的一个类别，对执行速度和系统可靠性都有较强的要求，这也决定了嵌入式系统不仅要有实时性很
强的操作系统，同时也需要一种安全、快速的存储设备。同时，嵌入式系统经常会涉及到海量数据的存储，这就要求存储设备
必须具有可靠性高，功耗低，容量大，掉电数据不丢失等特点，而
目前，在VxWorks实现上，涉及文件系统的文章不少，但一般都是针对容量较小，操作相对简单的NORFLASH实现的。本文
讨论了如何在以AMCC公司的Power PC芯片PPC440epx为核心的嵌入式平台上，利用三星公司的大容量NAND FLASH实现
文件系统的具体办法。
1 三星三星NAND FLASH芯片芯片K9F2G08QOM
K9F2G08QOM芯片的容量为256 M×8 b=2 Gb的数据区，再加上64 Mb的备用区。一块这种芯片被分为2 048个块，每个块又
分为64页，每页由2 KB的数据区加上64 B的备用区组成。如图1所示，列地址为12 b(A11～A0)。当A12为0时，A10～A0确定
对每页中2 KP；数据的访问；当A12为1时，访问的是64 B的备用区。由于NANDFLASH芯片在出厂时就可能出现坏块(块中的
某个或多个bit不能有效的进行读写)，为了将其标注出来，三星公司保证每个坏块的第一页和第二页备用区第一个byte的数据
没有被初始化为0xFF。设计人员要确保在对该芯片进行擦除之前，先将这个信息保留起来(建一个坏块表)。行地址为17 b(A28
～A12)。它确定了对2 048块×64页=128 K个页中的某一页进行访问。为了简化NAND FLASH芯片的管脚，其地址和数据信息
共享8个I／O管脚，因此，其29 B的地址信息被设计为5个周期进行传输。具体操作如表1所示。
注：起始地址是列地址；L表示必须置为低电平
对NAND FLASH的操作流程比较简单，即在第一个周期里送操作相关的命令字，然后送地址，以及相应的数据，最后送确认
字。需要说明的是，由于地址、命令和数据都共用8个I／O管脚来进行传输，因此在硬件上必须要有专用的管脚来区分传输类
型(在传输命令的时候，命令锁存使能信号CLE有效；在传输地址的时候，地址锁存使能信号ALE有效)。具体的命令字、时序
和操作流程在K9F2G08Q0M的数据手册上有较详细的描述，在此不一一详述。
2 PPC440epx的的NAND FLASH接口接口
AMCC公司的PPC440epx芯片是一款性能指标较高的嵌入式CPU芯片，其主频可以达到667 MHz，拥有DDR2接口，可支持
千兆以太网，USB 2．0接口，支持浮点运算，同时还支持NAND FLASH芯片。
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