聚噻吩修饰纳米结构TiO2膜电极光电性能研究 (2007年)

用光电流作用谱、光电流一电势图等光电化学方法研究了聚噻吩（PTh）膜和纳米结构TiO2/聚噻吩（ITO/TiO2/PTh）复合膜的光电转换性质。结果表明，PTh膜的禁带宽度为2.02eV，价带位置为-5.86 eV，导带位置为-3.84 eV。在ITO/TiO2/PTh复合膜电极中存在p-n异质结，在一定条件下异质结的存在有利于光生电子一空穴对的分离，PTh修饰ITO/TiO2电极可使光电流产生波长发生明显红移，从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。在实验条件下，单色光的光电转换效率最高可达到13%。