没有合适的资源?快使用搜索试试~
我知道了~
文库首页
开发技术
其它
陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响
陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响
研究论文
0 下载量
99 浏览量
2021-02-23
21:38:17
上传
评论
收藏
677KB
PDF
举报
温馨提示
立即下载
陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响
资源推荐
资源评论
陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
浏览:184
陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法
浏览:127
The small signal equivalent circuit of SiC MESFETs has been studied and the parasitic and intrinsic elements have been extracted with both numerical and analytical methods. The trapping-emission mecha
Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究 (2014年)
浏览:41
在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100 ℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600 ℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600 ℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的
4H-SiC MESFET特性对比及仿真
浏览:95
通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EPCG,通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EPCG分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性。结果表明,当EPCG为1/2栅时,最大饱和漏电流取得最大值,在VG=0 V、VDS
4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析
浏览:69
采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与<BR>线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,<BR>在1GHz和1. 01GHz频率下,当栅长从0. 8μm增大到1. 6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33. 55dBm (36. 26dBm)<BR>减小到18. 1dBm
论文研究-Au/Ni/4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的性能研究 .pdf
浏览:80
Au/Ni/4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的性能研究,叶鑫,夏晓川,采用4H-SiC材料制备了肖特基结型α粒子探测器,并且在室温常压条件下测试探测器的电学特性及探测性能。根据对正向I-V特性曲线的分析�
基于物理的4H-SiC MESFET自热效应新模型
浏览:37
基于物理的4H-SiC MESFET自热效应新模型
论文研究-Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 .pdf
浏览:26
Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 ,宋庆文,张玉明,基于水平式低压热壁化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition- CVD)生长系统,采用Al离子注入后进行二次外延生长的方法,成功的在N型4H-...
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性
浏览:195
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性,吴军,韩平,本工作利用化学气相淀积(CVD)方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功异质外延生长了4H-SiC薄膜;用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)、阴极�
基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制
浏览:40
5星 · 资源好评率100%
碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容
4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算.pdf
浏览:22
4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算.pdf
面向辐射探测应用的4H-SiC SBD器件电学性能仿真与优化
浏览:153
面向辐射探测应用的4H-SiC SBD器件电学性能仿真与优化 ,王伟,夏晓川,本文主要研究第三代宽带隙半导体4H-SiC材料制备的核辐射探测器a粒子辐射特性,利用Silvaco-TCAD软件进行了相关电学性能仿真。主要集中�
4H-SiC基稀磁半导体的电子结构.pdf
浏览:90
4H-SiC基稀磁半导体的电子结构.pdf
4H-SiC半导体同质外延生长技术进展.pdf
浏览:190
4H-SiC半导体同质外延生长技术进展.pdf
一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究.docx
浏览:195
一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究.docx
一种具有低寿命区的阳极短路4H-SiC IGBT仿真研究.docx
浏览:159
一种具有低寿命区的阳极短路4H-SiC IGBT仿真研究.docx
界面极化效应对AlGaN/4H-SiC HBT器件性能影响研究
浏览:163
利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对AlGaN/4H-SiC HBT器件直流性能和高频性能的影响。得到了AlGaN/4H-SiC异质结界面极化效应引诱的正极性极化界面电荷削弱了异质结的内...
基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备(英文).pdf
浏览:67
基于4H-SiC衬底的(SiFe)C的稀磁半导体材料制备(英文).pdf
Analytical-Modeling-of-4H-SiC-MESFET-for-High-Power-and-High-Frequency-Response:这是对4H-SIC(碳化硅)MESFETS的分析模型的仿真。 考虑到不同的制造参数(例如离子剂量,离子能量,离子范围和退火效应参数),已开发出该模型以获取阈值电压,漏极-源极电流,固有参数(如栅极电容,漏极-源极电阻和跨导)
浏览:198
高功率和高频响应的4H-SiC-MESFET的分析建模这是对4H-SIC(碳化硅)MESFETS的分析模型的仿真。 考虑到不同的制造参数(例如离子剂量,离子能量,离子范围和退火效应参数),已开发出该模型以获取阈值电压,漏极-源极...
激光分解4H-SiC制备石墨烯层的晶面取向影响研究
浏览:61
采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开展研究工作,分析激光能量密度、脉冲数及晶面取向对石墨烯质量的影响。当激光能量密度为1.06 J/cm 2,脉冲数为8000时,4H-SiC...
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延
浏览:116
生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270 ℃, 比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200~300 ℃; 较为合适的C/Si...
行人惯性导航零速检测算法
浏览:125
行人惯性导航零速检测算法
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
浏览:90
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
浏览:27
5星 · 资源好评率100%
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
浏览:98
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
BA无标度网络中的SIR模型
浏览:159
BA无标度网络中的SIR模型
基于三次贝塞尔曲线的类汽车曲率连续路径平滑
浏览:25
本文重点研究在大型科学设施环境中工作的类似汽车的车辆的可行路径的生成。 考虑曲率连续性和最大曲率约束,一种新颖的路径平滑算法是根据三次贝塞尔曲线提出的。 在算法中,贝塞尔转弯和贝塞尔路径分别为发达。 Bezier 转弯首先设计用于连接两个任意配置。 然后可以通过以下方式获得贝塞尔路径使用贝塞尔曲线来拟合避免碰撞规划器提供的一系列目标点。 在算法的指导下,车辆可以以预定的方向到达目标点。 模拟实验进
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
浏览:20
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
浏览:7
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
评论
收藏
内容反馈
立即下载
资源评论
资源反馈
评论星级较低,若资源使用遇到问题可联系上传者,3个工作日内问题未解决可申请退款~
联系上传者
评论
weixin_38654382
粉丝: 1
资源:
932
私信
上传资源 快速赚钱
我的内容管理
展开
我的资源
快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益
我的积分
登录查看自己的积分
我的C币
登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
前往需求广场,查看用户热搜
最新资源
金融分析期末作业.ipynb
1_1_6_张某.zip
Java笔试题库①.pdf
真值表ttention-model-for-network-id开发笔记
html css js网页制作实例processing-开发笔记p
网络编程之自动化运维工具
Linux Vim最全面的教程.docx
c 课设-mai开发笔记
HCIA-WLAN V3.0 培训教材
东北大学编译原理课程设计
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功