据Intel介绍，HET包含有Intel自己开发的固件、Intel控制器和高循环次数NAND.这种技术结合了NAND硅增强性能和独特的固态硬盘NAND管理技术，可扩展基于MLC的固态硬盘的写入耐用性，实现最优的耐用性和操作性能。
固态硬盘（Solid State Drives），简称固盘，是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，其芯片的工作温度范围很宽，商规产品（0~70℃）工规产品（-40~85℃）。虽然成本较高，但也正在逐渐普及到DIY 市场。由于固态硬盘技术与传统硬盘技术不同，所以产生了不少新兴的存储器厂商。厂商只需购买NAND存储器，再配合适当的控制芯片，就可以制造固态硬盘了。固态
Intel 710企业级固态硬盘是一款专为高耐用性和可靠性设计的存储解决方案，它采用了Intel自家开发的固件、Intel控制器以及高循环次数的NAND闪存，旨在提升MLC（多层单元）固态硬盘的写入耐用性和整体性能。固态硬盘（SSD）与传统的机械硬盘（HDD）相比，使用固态电子存储芯片阵列，工作温度范围广泛，适应性强，尽管初期成本较高，但已在DIY市场中逐渐普及。
Intel的高耐用性技术（HET）是针对MLC NAND闪存的一种创新策略，它通过识别和利用不同NAND芯片之间的性能差异，增强了数据的稳定性和寿命。通常，SLC（单层单元）闪存因其较低的误码率和高耐用性而在企业级应用中更为优选，但MLC闪存由于提供更大存储容量和更低的生产成本，被Intel巧妙地用于710 SSD中。
该硬盘的硬件配置包括20个MT29F16B08CCME1 MLC NAND集成电路，每块封装包含两个64Gb的25nm L74A NAND闪存裸片，总计200GB的存储容量。为了提高性能和降低功耗，Intel选择了512Mb的海力士H55S5162EFR移动SDRAM作为系统存储控制器。此外，6个470μF电容并联使用，确保在电源故障时有足够的能量安全退出操作。控制器部分，Intel使用了PC29AS21BA0，此控制器支持多种功能并可能针对710硬盘进行了固件优化。
Intel 29F16B08CCME1 NAND闪存器件遵循ONFI（开放NAND闪存接口）规范的2.2版本，提供了异步操作的支持，并且使用1.8V的I/O电源VCCQ，降低了功耗。通过监控NAND闪存器件的引脚，可以深入理解控制器如何有效地管理和通信以实现高效的读写操作。
Intel 710企业级固态硬盘通过其特有的HET技术，成功地提升了MLC NAND的耐用性，同时利用高效能的硬件组件和优化的固件，确保了在严苛的企业环境中具备出色的稳定性和性能。这种创新的设计思路不仅满足了对高容量存储的需求，还降低了整体的运营成本，体现了固态硬盘技术在现代电子维修和数据中心应用中的重要性。
