然而，嵌入式非易失性闪存IP的未来扩展在更的节点上是无效的。一些替代的存储器技术已经被作为“闪存的替代品”来追求，例如相变存储器(PCM)材料，电阻变化存储器(RRAM)，自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM)。这些技术提供了密集的位单元(“1T1R”)，并通过改变单元的静态电阻来操作，这种电阻是通过材料的“Write1”和“Write0”脉冲电流和大小引起。当单元被访问时，读操作感知电阻大小，大大降低单元电流。理想情况下，两个电阻之间的比率非常高，以加速读取操作。 作为嵌入式闪存的替代品，这些技术的评估标准如下: 波动率量度，即操作温度范围、数据保留(非常依赖于温度) Bit密度
