论文研究 - 用Floquet模态分析和MoM-GEC方法合成和优化几乎周期天线。

本文提出了一种新的Floquet分析，用于计算一维和二维耦合周期天线系统的辐射。 通过这种方式，可以使用基于傅立叶分析的新的交互作用表达式来证明相互耦合的准确评估。 然后，这项工作表明如何使用Floquet分析来研究在x和y方向上具有均匀振幅和线性相位分布的有限阵列。 为了对建议的结构进行建模，在频谱和空间域中给出了两种公式，其中应用了矩（MoM）方法和广义等效电路（GEC）方法相结合。 通过改变许多参数，例如频率，距离和浮球状态，可以看出耦合周期天线的辐射方向图。 在几个转向角θs和耦合值dx中分析并比较了耦合天线阵列的3-D辐射束。 这种结构的仿真表明，在较高的耦合值下，方向性会降低。 天线辐射方向图上的次瓣通过能量分散影响主瓣增益，并且可以实现旁瓣电平（SLL）的显着提高。 因此，辐射束在多个转向上的扫描会影响天线系统的电磁性能：转向角θs= π⁄3时的指向性受到更大的损害，其指向性为19.99 dB，而第二个角度θs= 0时的指向性约为35.11 dB。 。 该耦合结构的参数化研究用于概念化具有周期辐射束的智能周期天线。