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银纳米结构增强从SiNx发光器件中提取橙黄色电致发光
银纳米结构增强从SiNx发光器件中提取橙黄色电致发光
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2021-04-10
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银纳米结构增强从SiNx发光器件中提取橙黄色电致发光
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通过粗糙的银岛膜提高SiNx发光器件的光提取效率
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与没有银岛薄膜的器件相比,基于ITO / Ag / SiNx / p(+)-Si / Al结构,可以显着提高外部量子效率。... 我们的结果表明,局部表面等离子体激元增强的基于SiNx的发光器件显示出对开发高效基于Si的光学器件的巨大希望。
金属纳米粒子增强的局部电场对富硅氮化硅电致发光的调控作用
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富硅氮化硅(SiNx)基发光器件(LED)的电致发光(EL)波长调整是通过调整Ag纳米粒子的尺寸来实现的。 在基于SiNx的LED中观察到两个EL峰,这两个峰均随着Ag纳米颗粒尺寸的增加而红移。 通过基于简单模型的银纳米粒子...
局部表面等离子体激元改善了氮化硅发光器件的电致发光
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观察到具有ITO / SiO2 / SiNx / Ag / p / p(+)-Si / Al结构的SiNx发光器件(LED)的增强电致发光(EL)。 与没有Ag岛层的SiNx LED相比,具有Ag岛层的SiNx LED可以传导更高的注入电流,并且由于Ag岛膜的粗糙度,...
低温制备的非晶SiNX薄膜的发光特性和机理。 二。 缺陷状态电致发光
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在本文中,我们对非晶非化学计量氮化硅(SiNX)薄膜进行了室温电致发光(EL)研究。 发光装置由ITO / SiNX / p型硅结构形成。 EL显示出淡黄色的宽发射光谱,功率效率为10(-6)。 EL峰值能量取决于偏置电压,而不取...
Ag纳米颗粒注入载流子对SiNx基LED电致发光的改善作用
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多层SiNx/Si/SiNx薄膜的微结构及其发光性能
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利用拉曼光谱和光致发光(PL)光谱研究退火处理对薄膜微结构及其发光性能的影响。拉曼测试结果表明薄膜经高温度退火处理后会出现晶态比为30%的单晶和非晶共存的硅纳米颗粒,其尺寸约为6.6 nm;而光致发光谱的测试结果...
利用截头圆锥形仿生蛾眼结构提高LED光提取效率
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采用纳米球刻蚀技术在LED钝化层表面制备该亚波长纳米结构, 并与无表面微结构的LED芯片进行电致发光对比测试。结果表明, 制作有微结构的样品在20 mA和150 mA工作电流下的发光效率是无微结构参考样品的4.41倍和4.36倍,...
BP_no_toolbox.zip_BP神经网络的matlab程序_bp sinx_sinx的逼近函数_不使用工具箱_神经网络
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简单的三层BP神经网络结构来做sinx的函数逼近,不使用工具箱编写,简单易学,结构清晰,适合初学者
沉积温度对PECVD 法制备SiNx 薄膜光致发光峰的影响 (2012年)
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本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在p 型单晶硅(111)衬底上成功地制备了不同温度条件下的SiNx薄膜。室温下,在352 nm 光源激发下,每个样品有2 个发光位置,所有样品总共观测到了4 处不同的发光峰位:390、...
Java中用Applet画sinx
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Java中用Applet画sinx,代码是比较全,使用Eclipse开发。
sinx bp_BP算法拟合sinx函数_
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利用BP神经网络拟合sinx函数,有训练集和测试集生成的部分,代码完整
龙贝格算法计算积分sinx/x积分
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数值积分 用龙贝格算法计算下面积分sinx/x,积分限0~1,精度要求为10-6.
sinx_BP算法_
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基于BP网络的sinx函数的实现,详细介绍了如何在MATLAB上实现基于深度学习中的BP算法来实现sinx函数,从中可以清晰的看到bp算法是怎么是实现的,参数是怎么设置的
用于纳米光子应用的PEVVD SiNx:H薄膜的机械应变
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通过高频等离子体增强化学气相沉积(HF PECVD)在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜(SiNx:H)。 主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性(尤其是应力)中的作用。 通过傅立叶变换红外光谱(FTIR...
求sinx^3的定积分
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求定积分范围1到2,sinx^3的定积分
使用SiNx / a-IZO层压促进有机发光二极管的透明阻气层
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基于黑硅太阳能电池SiO2/SiNx叠层钝化膜的研究,郭婉,赵增超,不同钝化膜对黑硅太阳能电池有不同的影响,通过银纳米粒子辅助刻蚀制备了面积为(156×156mm2)的黑硅太阳能电池。没有经过钝化处理�
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