利用栅极感应漏电流分析法提取SiGe的等效陷阱能级

为了更好地理解SiGe隧道场效应晶体管的亚阈值摆幅退化及其带间隧穿机理，对MOSFET的栅极感应漏极泄漏进行了分析。 阐述了分析的数值模型。 提取了Si和应变SiGe的等效陷阱能级。 发现SiGe中的等效陷阱能级比Si中的等效陷阱能级低。