电源技术中的Vishay推出首款基于硅片的RF电容器 SRF值高达13GHz
日前,Vishay公司宣布推出业界首款基于硅片的表面贴装RF电容器——HPC0603A。这款新型电容器是基于Vishay专有半导体工艺开发的,其构造降低了寄生电感。与传统RF电容器相比,该器件的自共振频率(SRF)值高出两至三倍。 高性能、高精度HPC0603A的电容范围在3.3pF~560pF,SRF值高达13GHz。在该范围提供E12值的HPC0603A在1MHz至数GHz频率范围内均能稳定运行。寄生电感只有0.046nH。提供了E24值的HPC0603A器件也 计划于近期推出。 Vishay的这款新型电容器的Q因数达4157、容差为±1%或0.05pF,ESR值也比较低。HPC Vishay公司近期发布了一项重大技术创新,推出了全球首款基于硅片的射频(RF)电容器——HPC0603A。这款电容器利用了Vishay独特的半导体工艺,旨在解决传统RF电容器存在的问题,特别是寄生电感问题。通过优化构造,HPC0603A的自共振频率(SRF)显著提升,达到了前所未有的13GHz,比常规RF电容器高出两到三倍。 HPC0603A电容器具备广泛的电容范围,从3.3pF到560pF不等,适合在1MHz至数GHz的频率范围内稳定工作。它提供的E12值确保了在宽频率范围内的精确度。另外,Vishay还计划在未来推出提供E24值的HPC0603A器件,以满足更精确的电容需求。值得注意的是,这款新型电容器的寄生电感极低,仅为0.046nH,这对于高频应用来说至关重要。 在性能方面,HPC0603A展现出了卓越的品质因数(Q因子),高达4157,容差控制在±1%或0.05pF,同时拥有较低的等效串联电阻(ESR)。这使得该电容器在各种条件下都能保持良好的稳定性。器件的尺寸紧凑,仅为1.60×0.80mm,高度0.56mm,且提供6V、10V、16V及25V四种额定电压选项,为设计者提供了灵活的选择。 HPC0603A的高电容范围和小型封装设计不仅提高了电路的Q值,还增强了信号传输范围和系统的可靠性。其独特的结构有助于减少PCB上互连线路产生的寄生效应,同时通过减小组件间距提升电路性能。这一创新设计使电容器的SRF频率达到新的水平,从而在高频操作下实现更高的性能和信号传输质量。 对于依赖无线通信技术的产品,如移动电话、无绳电话、全球定位系统(GPS)、压控振荡器(VCO)、滤波器和匹配网络、RF模块以及基站等,HPC0603A的引入将有助于缩小设备尺寸,简化设计,减少PCB上的组件数量,从而降低成本并提升整体系统性能。 目前,HPC0603A样品已经可以获取,批量生产预计的供货周期为10周。这一创新产品无疑为电源技术和射频领域的工程师们提供了新的解决方案,以应对日益增长的高速、高频应用需求。
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