新兴的非易失性内存体系结构的高速缓存优化方法：一项调查

随着半导体Craft.io的发展，处理器集成的片上缓存越来越大，传统存储器件的漏电引起的问题日益严峻，如何设计高能效的片上存储架构已成为重要挑战。为解决这些问题，大量研究为探索自转扭矩RAM（STT-RAM），相变存储器（PCM） ，电阻RAM（RRAM）和域壁内存（DWM）新型新型插入性存储器（非易失性存储器，NVM）架构缓存的方法，对比了其与传统存储器件的物理特性，讨论了其架构缓存的优缺点和适用性，重点分类并汇总了其架构缓存的优化方法和策略，分析了其中针对的新型插入性存储器写入高，写寿命有限和写入延迟长等缺点造成的关键优化技术，最后探讨了新型的初步性存储器件在未来缓存优化中可能的研究方向。