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元器件应用中的光敏三极管型光电耦合器主要特性参数
元器件应用中的光敏三极管型光电耦合器主要特性参数
元器件应用
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表:光敏三极管型光电耦合器主要特性参数
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元器件应用中的光敏达林顿三极管型光电耦合器主要特性参数
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该光电耦合器采用发光二极管与光敏三极管组，达林顿型输出，具有传输比(CTR)高的特点，其外形如图所示，主要特性参数见表。 表：光敏达林顿三极管型光电耦合器主要特性参数
元器件应用中的光敏电阻器
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光敏电阻器又叫光导管，是常用的光敏器件常见的光敏电阻器是用硫化镐(CdS)材料制成的。除使用硫化铺材料制作光敏电阻器外，还有用硫化铝、硫化铅、硫化秘、硒化 隔和硫化钝等材料制成的光敏电阻器。 光敏电阻器的结构如图所示。由于导体在光的作用下，电导率变化的现象只局限于光照的物体表面薄层，因此，在制作光敏电阻器时，只要把掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘基体上就可以形成光敏电阻器。为了提高灵敏度
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元器件应用中的光敏三极管的部分主要技术特性
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1·暗电流ID 在无光照的情况下，集电极与发射极间的电压为规定值时，流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。 2·光电流IL 在规定光照下，当施加规定的工作电压时，流过光敏三极管的电流称为光电流，光电流越大，说明光敏三极管的灵敏度越高。 3·集电极一发射极击穿电压VcE 在无光照下，集电极电流Ic为规定值时，集电极与发射极之间的电压降称为集电极一--发射极击穿电压。 4·最高
元器件应用中的光电三极管的特性
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光电三极管也是靠光的照射量来控制电流的器件。它可等效看作一个光电二极管与一只晶体三极管的结合，所以它具有放大作用。其最常用的材料是硅，一般仅引出集电极和发射极，其外形与发光二极管一样(也有引出基极的光电三极管，它常作温度补偿用)。它的光谱范围与光电二极管相同。(1)输出特性 其输出特性与一般晶体三极管特性相同，差别仅在于参变量不同：三极管的参变量为基极电流，而光电三极管的参变量是入射的光照度。(
元器件应用中的光电耦合器常用特性参数及符号
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元器件应用中的光敏三极管光谱 伏安特性
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元器件应用中的光敏三极管的光电特性曲线
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光电特性 光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流几与光照度之间的关系。图给出了光敏三极管的光电特性曲线。光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。 图：光敏三极管的光电特性曲线
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该光电耦合器采用发光二极管与光敏三极管组，达林顿型输出，具有传输比(CTR)高的特点，其外形如图所示，主要特性参数见表。 图：光敏达林顿三极管型光电耦合器的外形及电路
元器件应用中的光敏二极管型光电耦合器主要特性参数
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元器件应用中的贴片式光电耦合器介绍及应用
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光电耦合器(以下简称光耦)是一种发光器件和光敏器件组成的光电器件。它能实现电—光—电信号的变换，并且输入信号与输出信号是隔离的。 光耦的结构 光耦的内部结构(剖面)如图1所示。光耦输入部分大都是红外...
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3DU系列硅光敏三极管适用于近红外光探测器、光耦合、编码器、特性识别电路、过程控制电路及激光接收电路等。3DU系列硅光敏三极管的主要特性参数见表。 表：3DU系列硅光敏三极管主要特性参数
元器件应用中的常见塑封三极管主要特性参数介绍
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元器件应用中的组合型光电耦合器主要特性参数
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表：MG45型硫化镐光敏 电阻主要特性参数
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表:3ACM、3BCM型磁敏三极管主要特性参数
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元器件应用中的半导体三极管放大电路的主要特性
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共发射极电路的电流、电压和功率放大倍数最高，因而是一种使用最广泛的电路;共基极电路的频率特性最好，因而它在高频电路中使用得最多;共集电极电路有着输入阻抗高、输出阻抗低的特点，常用来作阻抗变换器使用。 下表列出了这三种电路的主要特性：
元器件应用中的2DU型硅光敏二极管主要特性参数
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2DU型硅光敏二极管主要用于可见光和红外光探测器及光电转换的自动控制仪器、触发器、光电藕合、编码器、特性识别电路、过程控制电路、激光接收电路等。主要特性参数见表。 表:2DU型硅光敏二极管主要特性参数
元器件应用中的2CU型硅光敏二极管主要特性参数表
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2CU型硅光敏二极管大都为全密封外壳封装，顶端有透镜或平板玻璃窗口。2CU型硅光敏二极管主要用于光的接收及光电转换的自动控制仪、触发器、光电糯合、编码器、译码器、特性识别电路、过程控制电路及激光接收电路等。 而2CU101/201型硅光敏二极管主要用于光纤通信的光信号接收。ZCU型硅光敏二极管的主要特性参数见表，
元器件应用中的光敏二极管的主要特性参数
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①最高反向工作电压VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下，反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值。 ②暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。 ③光电流IL:是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其测量的一般条件是:2856K钨丝光源，照度为10001x。 ④光电灵敏
元器件应用中的2CU301型硅光敏二极管主要特性参数表
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